Halbleitertechnologiepraktikum
Aus Studienführer
Allgemeines
| Veranstaltung: | Halbleitertechnologiepraktikum | Angebotsturnus: | jedes SS |
|---|---|---|---|
| SWS: | P3 | Sprache: | deutsch |
| Prüfung/Dauer: | mündlich (30 min) | Creditpoints (CP): | 6 |
| Vorgesehenes Semester: | B6 | Homepage: | http://www.iht.tu-darmstadt.de/studium/praktika.html |
| Vorlesungsverzeichnis: | Suche (Angebotsturnus beachten) | Prüfungscode: | 118251 |
| Begleitende Unterlagen: | Detaillierte Versuchsbeschreibungen mit Hintergrundinformationen werden zu Beginn der Veranstaltung ausgeteilt. | ||
| Übungsklausuren: | |||
| Dozent: | Udo Schwalke | |
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| Gebäude/Raum: | S2/17 - 31 | |
| e-Mail: | ||
| Betreuender Assistent: | ||
| Gebäude/Raum: | ||
| e-Mail: | ||
Voraussetzungen und Studienleistungen
Technologie hochintegrierter Schaltungen, Halbleiterbauelemente, Elektrotechnik und Informationstechnik I, Elektrotechnik und Informationstechnik II, Praktikum Elektrotechnik und Informationstechnik, Praktikum Elektronik, Mathematik I, Mathematik II, Physik
Vorlesungsinhalte und Lernziele
- Durchführung von praktischen Versuchen zur Halbleitertechnik: Thermische Oxidation von Silizium zur Herstellung von Oxidschichten, Maskierung von Siliziumwafern zwecks Strukturerstellung, Diffusion von Dotierstoffen in Silizium zur Herstellung von elektrisch aktiven Gebieten, Metallisierung von Halbleiterstrukturen zur Kontaktierung
integrierter Schaltungen
- Messung und Prozesssimulation zur Bestimmung von Prozess- und Bauelementparametern
- Ziel: Mit der Vermittlung von Fachwissen auf dem Gebiet der Halbleitertechnik der Mikro- und Nanoelektronik soll im Besonderen die Fähigkeit der Studenten entwickelt werden, integrierte Systeme im späteren Berufsleben aktiv mit zu gestalten und unter den sich ändernden Anforderungen des Marktes in der Industrie zu entwickeln
Versuchsinhalte: Praktische Erfahrungen mit: Eigenschaften von Silizium
- Thermische Oxidation
- Fotolithografie
- Diffusion, Durchführung
- Diffusionsauswertung
- Metallisierung von Halbleiterstrukturen
- Messung von integrierten Widerständen
- Prozesssimulation
- MOS-Kondensator- und MOS-Transistor-Charakterisierung
Lehrmaterial
Studiengänge
BSc ETiT